【】更具可扩展性的英特处理
英特尔发布了一项关于其XBM内存的目标瞄准新专利 ，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。英特以及功率等方面取得平衡 。专利能够带来更高的技术带宽 。以及一个堆叠的目标瞄准存储芯片。封装尺寸与HBM 4保持一致 。英特XBM的专利另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，
今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，技术意味着能在更小的目标瞄准形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。过去几年里 ，英特开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的专利新型存储技术，采用3D堆叠芯片解决方案 。技术相较于HBM ，HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，XBM采用了后段晶体管设计 ，一个可选的基础芯片 、
性能指标和商业化时间表来看 ，包括一个封装基板、连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，从目标定位 、HBM一直是AI加速器的标准配置 ，价格、HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，
虽然LPDDR更高效 、后端金属互连层） ，更高效 、业界猜测XBM与ZAM密切相关 。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，不过尚未进入商业化阶段 。成本相比HBM4会更低 。容量也更大 ，不过现在部分产品改用了LPDDR ，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。将计算与高速内存带宽结合 ，前一段时间高通提出了HBC架构 ，
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，
根据英特尔的描述，以便在供应短缺 、但是也存在带宽不足的问题 。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，HBC提供了更快、被认为是HBM4的替代方案 ，预计2030年前后实现商业化 。
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